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极紫外（EUV）光刻技术对工作台的热稳定性提出极致要求。因瓦合金4J36通过特殊热处理工艺：在830℃均匀化处理2小时，以30℃/h缓冷至600℃，最后在315℃稳定化处理48小时，使材料在20-100℃范围内的热膨胀系数降至0.3×10⁻⁶/℃，尺寸稳定性达到0.1μm/m·℃。

在光刻机实际运行环境中，平台在23℃±0.01℃控温条件下的位置重复性达到±1nm。通过激光干涉仪测量显示，在8小时连续工作中，平台热漂移＜3nm。穆斯堡尔谱分析证实，材料中Fe³⁺含量控制在0.5%以下，这是实现超低热膨胀的关键。

我们建立了完整的热-机械耦合仿真模型，准确预测不同工况下的平台变形。在7纳米产线验证中，套刻精度提升至1.2nm，产品良率提高2.3%。通过长期监测显示，材料在5年使用期内的性能衰减率＜0.5%。