PA电子工业科技有限公司

在化学机械抛光（CMP）工艺中，抛光垫的耐磨性与平整度直接影响芯片制造良率。我们采用超音速火焰喷涂（HVOF）技术，将钴基合金（Co-28Cr-5W-2Ni）以280m/s速度喷涂至基体，形成厚度200μm的功能层。通过控制喷涂距离（200mm）与送粉速率（30g/min），获得孔隙率＜0.5%的致密涂层，显微硬度达到HV1200，结合强度＞70MPa。

在CMP实际工况测试中，优化后的抛光垫寿命达到600小时，材料去除率（MRR）稳定性控制在±3%以内。通过白光干涉仪测量显示，抛光后晶圆表面粗糙度（Ra）＜0.2nm，平整度（TTV）＜1μm。X射线衍射（XRD）分析证实，涂层中碳化物尺寸均匀分布在1-3μm，体积分数约25%。

我们开发了抛光垫磨损预测模型，综合考虑压力、转速与浆料特性。在7纳米制程验证中，晶圆良率提升至98.5%，缺陷密度降至0.1个/cm²。通过能谱分析（EDS）监测，抛光过程中金属污染控制在10⁹atoms/cm²以下。