面对5G芯片的散热挑战,我们开发了新型高导热铝合金载板材料。采用粉末冶金工艺,通过控制SiC颗粒含量(体积分数55%)与尺寸分布(3-5μm),使材料导热系数达到220W/(m·K),热膨胀系数(CTE)控制在7.2×10⁻⁶/℃,与硅芯片实现完美匹配。材料在150℃下的抗拉强度保持率超过85%,尺寸稳定性≤0.01%。

在热循环测试中(-55℃至125℃,1000次循环),载板与芯片界面未出现分层现象。通过扫描声学显微镜(SAM)检测显示,界面结合强度保持率>95%。红外热成像分析证实,在300W功率条件下,芯片结温控制在85℃以下,热阻降至0.15K/W。

我们建立了载板材料的全参数数据库,包括热机械性能、介电特性与工艺窗口。在实际应用中,优化后的载板使芯片性能提升15%,功耗降低20%。通过加速寿命测试预测,产品在额定工况下的使用寿命超过10年。
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